KSK596ABU數據表





制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 20V 漏極至源極電壓(Vdss) - 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 100µA @ 5V 電流消耗(Id)-最大 1mA 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 600mV @ 1µA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3.5pF @ 5V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 100mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 20V 漏極至源極電壓(Vdss) - 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 100µA @ 5V 電流消耗(Id)-最大 1mA 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 600mV @ 1µA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3.5pF @ 5V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 100mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 20V 漏極至源極電壓(Vdss) - 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 100µA @ 5V 電流消耗(Id)-最大 1mA 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 600mV @ 1µA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3.5pF @ 5V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 100mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 20V 漏極至源極電壓(Vdss) - 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 100µA @ 5V 電流消耗(Id)-最大 1mA 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 600mV @ 1µA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3.5pF @ 5V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 100mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 20V 漏極至源極電壓(Vdss) - 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 100µA @ 5V 電流消耗(Id)-最大 1mA 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 600mV @ 1µA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3.5pF @ 5V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 100mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 20V 漏極至源極電壓(Vdss) - 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 100µA @ 5V 電流消耗(Id)-最大 1mA 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 600mV @ 1µA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3.5pF @ 5V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 100mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS) 20V 漏極至源極電壓(Vdss) - 當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0) 100µA @ 5V 電流消耗(Id)-最大 1mA 電壓-截止(VGS關閉)@ ID 600mV @ 1µA 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3.5pF @ 5V 電阻-RDS(On) - 功率-最大 100mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |