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KSK596BU

KSK596BU

僅供參考

型號 KSK596BU
PNEDA編號 KSK596BU
描述 JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSK596BU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSK596BU
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
KSK596BU, KSK596BU數據表 (總頁數: 5, 大小: 47.49 KB)
PDFKSK596ABU數據表 封面
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KSK596BU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)20V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)100µA @ 5V
電流消耗(Id)-最大1mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3.5pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大100mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝TO-92S

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

20mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1.8V @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

400mW

工作溫度

150°C (TJ)

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包裝/箱

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電流消耗(Id)-最大

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電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 15V (VGS)

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

2V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

150µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.1pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

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