MB85R4M2TFN-G-ASE1數據表
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制造商 Fujitsu Electronics America, Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FRAM 技術 FRAM (Ferroelectric RAM) 內存大小 4Mb (256K x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 150ns 訪問時間 150ns 電壓-供電 1.8V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP |
