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MB85R4M2TFN-G-ASE1

MB85R4M2TFN-G-ASE1

僅供參考

型號 MB85R4M2TFN-G-ASE1
PNEDA編號 MB85R4M2TFN-G-ASE1
描述 IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
制造商 Fujitsu Electronics
單價
1 ---------- $20.4626
100 ---------- $19.5034
250 ---------- $18.5442
500 ---------- $17.5850
750 ---------- $16.7857
1,000 ---------- $15.9864
庫存 426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MB85R4M2TFN-G-ASE1資源

品牌 Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MB85R4M2TFN-G-ASE1
類別半導體內存IC內存
數據表
MB85R4M2TFN-G-ASE1, MB85R4M2TFN-G-ASE1數據表 (總頁數: 4, 大小: 577.11 KB)
PDFMB85R4M2TFN-G-ASE1數據表 封面
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MB85R4M2TFN-G-ASE1規格

制造商Fujitsu Electronics America, Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FRAM
技術FRAM (Ferroelectric RAM)
內存大小4Mb (256K x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁150ns
訪問時間150ns
電壓-供電1.8V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝44-TSOP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.33GHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

1.125Gb (32Mb x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.67ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4.2ns

電壓-供電

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工作溫度

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