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MBR20080CTR數據表

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GeneSiC Semiconductor
MBR20080CTR數據表 頁面 1
MBR20080CTR數據表 頁面 2
MBR20080CTR數據表 頁面 3
MBR20080CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR20045CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR20080CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR20060CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR20060CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR20045CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR200100CTR

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Anode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower

MBR200100CT

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 100A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 20V

工作溫度-結點

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Twin Tower

供應商設備包裝

Twin Tower