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MBR20060CTR

MBR20060CTR

僅供參考

型號 MBR20060CTR
PNEDA編號 MBR20060CTR
描述 DIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR20060CTR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR20060CTR
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
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PDFMBR20080CTR數據表 封面
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MBR20060CTR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Anode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)200A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果750mV @ 100A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5mA @ 20V
工作溫度-結點-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.5V @ 210A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 1200V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

1.3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

22V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 35000V

工作溫度-結點

-

安裝類型

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75mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 75V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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