MBR600200CTR數據表
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制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Anode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 200V 電流-平均整流（Io）（每個二極管） 300A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 920mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 3mA @ 200V 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Cathode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 200V 電流-平均整流（Io）（每個二極管） 300A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 920mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 3mA @ 200V 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Anode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 150V 電流-平均整流（Io）（每個二極管） 300A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 880mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 3mA @ 150V 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Cathode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 150V 電流-平均整流（Io）（每個二極管） 300A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 880mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 3mA @ 150V 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
