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MBR600150CT

MBR600150CT

僅供參考

型號 MBR600150CT
PNEDA編號 MBR600150CT
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MBR600150CT資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MBR600150CT
類別半導體二極管與整流器整流器-數組
數據表
MBR600150CT, MBR600150CT數據表 (總頁數: 3, 大小: 712.93 KB)
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MBR600150CT規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)300A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果880mV @ 300A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr3mA @ 150V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Twin Tower
供應商設備包裝Twin Tower

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 150V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 200V

工作溫度-結點

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安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

55A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

540mV @ 55A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 45V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 75V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 400A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 35V

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