MCH6601-TL-E數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 200mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.43nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7.5pF @ 10V 功率-最大 800mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝 6-MCPH |
