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MCH6601-TL-E

MCH6601-TL-E

僅供參考

型號 MCH6601-TL-E
PNEDA編號 MCH6601-TL-E
描述 MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MCH6601-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MCH6601-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
MCH6601-TL-E, MCH6601-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 248.29 KB)
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MCH6601-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.4Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.43nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7.5pF @ 10V
功率-最大800mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝6-MCPH

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240mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.36nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

3.35V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

308nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8700pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA, 130mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

200mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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