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MT45W1MW16BDGB-708 AT TR數據表

MT45W1MW16BDGB-708 AT TR數據表
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Micron Technology Inc.
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···
MT45W1MW16BDGB-708 AT TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-VFBGA

供應商設備包裝

54-VFBGA (6x8)

MT45W1MW16BDGB-708 WT TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-VFBGA

供應商設備包裝

54-VFBGA (6x8)

MT45W1MW16BDGB-701 WT TR

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

PSRAM

技術

PSRAM (Pseudo SRAM)

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-VFBGA

供應商設備包裝

54-VFBGA (6x8)