MT45W1MW16BDGB-708 AT TR數據表
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-VFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (6x8) |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-VFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (6x8) |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 PSRAM 技術 PSRAM (Pseudo SRAM) 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 70ns 訪問時間 70ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -30°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-VFBGA 供應商設備包裝 54-VFBGA (6x8) |