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MT45W1MW16BDGB-708 AT TR

MT45W1MW16BDGB-708 AT TR

僅供參考

型號 MT45W1MW16BDGB-708 AT TR
PNEDA編號 MT45W1MW16BDGB-708-AT-TR
描述 IC PSRAM 16M PARALLEL 54VFBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT45W1MW16BDGB-708 AT TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT45W1MW16BDGB-708 AT TR
類別半導體內存IC內存
數據表
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MT45W1MW16BDGB-708 AT TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式PSRAM
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁70ns
訪問時間70ns
電壓-供電1.7V ~ 1.95V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-VFBGA
供應商設備包裝54-VFBGA (6x8)

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內存格式

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內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.2ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

165-CABGA (13x15)

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

2.3V ~ 3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-LFBGA

供應商設備包裝

90-WBGA (8x13)

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP I

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制造商

Adesto Technologies

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 2.75ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 4.4V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

24LC01BHT-E/OT

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

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