MT46V8M16P-5B:D TR數據表
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.5V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (8M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (32M x 4) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (32M x 4) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (16M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (16M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (16M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (16M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 133MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 750ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR 內存大小 128Mb (16M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 167MHz 寫周期-字,頁 15ns 訪問時間 700ps 電壓-供電 2.3V ~ 2.7V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 66-TSOP |