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MT46V8M16TG-6T IT:D TR

MT46V8M16TG-6T IT:D TR

僅供參考

型號 MT46V8M16TG-6T IT:D TR
PNEDA編號 MT46V8M16TG-6T-IT-D-TR
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,114
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MT46V8M16TG-6T IT:D TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MT46V8M16TG-6T IT:D TR
類別半導體內存IC內存
數據表
MT46V8M16TG-6T IT:D TR, MT46V8M16TG-6T IT:D TR數據表 (總頁數: 81, 大小: 6,500.13 KB)
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MT46V8M16TG-6T IT:D TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率167MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝66-TSOP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

55ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

85ns

訪問時間

85ns

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-TFBGA

供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

96ns

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

1.65V ~ 2.2V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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