NSTB60BDW1T1數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 22kOhms 電阻-發射極基（R2） 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 140MHz 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 晶體管類型 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 22kOhms 電阻-發射極基（R2） 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 150mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 22kOhms 電阻-發射極基（R2） 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 140MHz 功率-最大 250mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
