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NSVTB60BDW1T1G

NSVTB60BDW1T1G

僅供參考

型號 NSVTB60BDW1T1G
PNEDA編號 NSVTB60BDW1T1G
描述 TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NSVTB60BDW1T1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NSVTB60BDW1T1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NSVTB60BDW1T1G, NSVTB60BDW1T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 73.31 KB)
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NSVTB60BDW1T1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 40V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電阻-基本(R1)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

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