NTGD3133PT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 5.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 400pF @ 10V 功率-最大 560mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝 6-TSOP |
