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NTGD3133PT1G

NTGD3133PT1G

僅供參考

型號 NTGD3133PT1G
PNEDA編號 NTGD3133PT1G
描述 MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTGD3133PT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTGD3133PT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTGD3133PT1G, NTGD3133PT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 105.88 KB)
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NTGD3133PT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds400pF @ 10V
功率-最大560mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝6-TSOP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

725mA, 500mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.68nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5100pF @ 25V

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