NTJD1155LT1數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 400mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
制造商 ON Semiconductor 系列 * FET類型 - FET功能 - 漏極至源極電壓（Vdss） - 電流-25°C時的連續漏極（Id） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 - 工作溫度 - 安裝類型 - 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 400mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
