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NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

僅供參考

型號 NTJD1155LT1G
PNEDA編號 NTJD1155LT1G
描述 MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 357,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 22 - 四月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTJD1155LT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTJD1155LT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTJD1155LT1G, NTJD1155LT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 127.3 KB)
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NTJD1155LT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)8V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大400mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 150A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

325nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18500pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

160mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 100mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.58nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50.54pF @ 25V

功率-最大

400mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3333pF @ 10V

功率-最大

1.45W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

416pF @ 10V, 536pF @ 10V

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