NZT660數據表
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ON Semiconductor







制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 60V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 550mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 500mA, 2V 功率-最大 2W 頻率-過渡 75MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223-4 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 60V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 250 @ 500mA, 2V 功率-最大 2W 頻率-過渡 75MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223-4 |