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NZT660

NZT660

僅供參考

型號 NZT660
PNEDA編號 NZT660
描述 TRANS PNP 60V 3A SOT-223
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 33,450
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 25 - 三月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NZT660資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NZT660
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
NZT660, NZT660數據表 (總頁數: 7, 大小: 299.4 KB)
PDFNZT660數據表 封面
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NZT660規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic550mV @ 300mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 500mA, 2V
功率-最大2W
頻率-過渡75MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223-4

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ON Semiconductor

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 10µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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-

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-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 50mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

12MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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