RN1906數據表
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7kOhms 電阻-發射極基(R2) 47kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 2.2kOhms 電阻-發射極基(R2) 47kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7kOhms 電阻-發射極基(R2) 47kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7kOhms 電阻-發射極基(R2) 47kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7kOhms 電阻-發射極基(R2) 1kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 2.2kOhms 電阻-發射極基(R2) 47kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 2.2kOhms 電阻-發射極基(R2) 47kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 47kOhms 電阻-發射極基(R2) 47kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10kOhms 電阻-發射極基(R2) 10kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10kOhms 電阻-發射極基(R2) 10kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 22kOhms 電阻-發射極基(R2) 22kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 US6 |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7kOhms 電阻-發射極基(R2) 4.7kOhms 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 100mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 ES6 |