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RN1905,LF

RN1905,LF

僅供參考

型號 RN1905,LF
PNEDA編號 RN1905-LF
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

RN1905資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號RN1905,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
RN1905, RN1905數據表 (總頁數: 7, 大小: 460.73 KB)
PDFRN1906數據表 封面
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RN1905規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 2.5mA

當前-集電極截止(最大值)

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms, 1kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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