SCT2280KEC數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 18V Rds On（Max）@ Id，Vgs 364mOhm @ 4A, 18V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1.4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 36nC @ 18V Vgs（最大） +22V, -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 667pF @ 800V FET功能 - 功耗（最大值） 108W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247 包裝/箱 TO-247-3 |
