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SCT2280KEC

SCT2280KEC

僅供參考

型號 SCT2280KEC
PNEDA編號 SCT2280KEC
描述 MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 18,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SCT2280KEC資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SCT2280KEC
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SCT2280KEC, SCT2280KEC數據表 (總頁數: 14, 大小: 780.84 KB)
PDFSCT2280KEC數據表 封面
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SCT2280KEC規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術SiCFET (Silicon Carbide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)18V
Rds On(Max)@ Id,Vgs364mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1.4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 18V
Vgs(最大)+22V, -6V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds667pF @ 800V
FET功能-
功耗(最大值)108W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

920mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13650pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

429W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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