STB23NM60N數據表
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制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 60nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2050pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 150W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 60nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2050pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 150W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 60nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2050pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 150W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I2PAK 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 60nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2050pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 35W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220FP 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
制造商 STMicroelectronics 系列 MDmesh™ II FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 19A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 60nC @ 10V Vgs（最大） ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2050pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 150W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
