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STW23NM60N

STW23NM60N

僅供參考

型號 STW23NM60N
PNEDA編號 STW23NM60N
描述 MOSFET N-CH 600V 19A TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW23NM60N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW23NM60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW23NM60N, STW23NM60N數據表 (總頁數: 19, 大小: 560.11 KB)
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STW23NM60N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)19A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2050pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2464pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

166W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

700mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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56A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

224nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7676pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

143W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

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150°C (TJ)

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