TPC8211(TE12L數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8211(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 30V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 5.5A Rds On(Max)@ Id,Vgs 36mOhm @ 3A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 25nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1250pF @ 10V 功率-最大 450mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP (5.5x6.0) |