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TPC8211(TE12L數據表

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Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC8211(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

8-SOP (5.5x6.0)