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TPC8211(TE12L,Q,M)

TPC8211(TE12L,Q,M)

僅供參考

型號 TPC8211(TE12L,Q,M)
PNEDA編號 TPC8211-TE12L-Q-M
描述 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,050
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8211(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8211(TE12L,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
TPC8211(TE12L, TPC8211(TE12L數據表 (總頁數: 7, 大小: 253.95 KB)
PDFTPC8211(TE12L數據表 封面
TPC8211(TE12L數據表 頁面 2 TPC8211(TE12L數據表 頁面 3 TPC8211(TE12L數據表 頁面 4 TPC8211(TE12L數據表 頁面 5 TPC8211(TE12L數據表 頁面 6 TPC8211(TE12L數據表 頁面 7

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TPC8211(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs36mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1250pF @ 10V
功率-最大450mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)

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2Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.304nC @ 4.5V

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4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.1nC @ 10V

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