TPCP8203(TE85L數據表
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - 功率-最大 360mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 PS-8 (2.9x2.4) |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIV FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 24A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 7mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 26nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1270pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱 8-PowerVDFN |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10.1mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 19nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1800pF @ 10V FET功能 Schottky Diode (Body) 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP (5.5x6.0) 包裝/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 12mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 55nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSIV FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 8.5mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 54nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 π-MOSVII FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 550V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 330mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 45nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2600pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220SIS 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 16A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 270mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220SIS 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSV-H FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 44A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.2mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 59nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5700pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱 8-PowerVDFN |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 40A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.9mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 42nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3713pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱 8-PowerVDFN |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSV-H FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 11.4mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 21nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2150pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP (5.5x6.0) 包裝/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 17A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 5.3mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 42nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3713pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP (5.5x6.0) 包裝/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs 6.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 33nC @ 10V Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2846pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SOP (5.5x6.0) 包裝/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
