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TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

僅供參考

型號 TPC8032-H(TE12LQM)
PNEDA編號 TPC8032-H-TE12LQM
描述 MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8032-H(TE12LQM)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8032-H(TE12LQM)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPC8032-H(TE12LQM), TPC8032-H(TE12LQM)數據表 (總頁數: 63, 大小: 1,617.96 KB)
PDFTPCP8203(TE85L數據表 封面
TPCP8203(TE85L數據表 頁面 2 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 3 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 4 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 5 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 6 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 7 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 8 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 9 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 10 TPCP8203(TE85L數據表 頁面 11

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TPC8032-H(TE12LQM)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2846pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.9A (Ta), 30.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27.8nC @ 10V

Vgs(最大)

+16V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1170pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

49W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

364pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

43W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2230pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

714W (Tc)

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