V3P6HM3_A/I數據表
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 60V 電流-平均整流(Io) 3A (DC) 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 630mV @ 3A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 900µA @ 60V 電容@ Vr,F 250pF @ 4V, 1MHz 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 DO-220AA 供應商設備包裝 DO-220AA (SMP) 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 Automotive, AEC-Q101 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 60V 電流-平均整流(Io) 2.4A (DC) 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 630mV @ 3A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 900µA @ 60V 電容@ Vr,F 250pF @ 4V, 1MHz 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 DO-220AA 供應商設備包裝 DO-220AA (SMP) 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 60V 電流-平均整流(Io) 2.4A (DC) 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 630mV @ 3A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 900µA @ 60V 電容@ Vr,F 250pF @ 4V, 1MHz 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 DO-220AA 供應商設備包裝 DO-220AA (SMP) 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 60V 電流-平均整流(Io) 3A (DC) 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 630mV @ 3A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 900µA @ 60V 電容@ Vr,F 250pF @ 4V, 1MHz 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 DO-220AA 供應商設備包裝 DO-220AA (SMP) 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C |