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V3P6HM3_A/I

V3P6HM3_A/I

僅供參考

型號 V3P6HM3_A/I
PNEDA編號 V3P6HM3_A-I
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

V3P6HM3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號V3P6HM3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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V3P6HM3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)3A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果630mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr900µA @ 60V
電容@ Vr,F250pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-220AA
供應商設備包裝DO-220AA (SMP)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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950mV @ 600mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

TS-1

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 400V

電容@ Vr,F

40pF @ 0V, 1MHz

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 15V

電容@ Vr,F

70pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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