VS-40MT120UHTAPBF數據表
VS-40MT120UHTAPBF數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
此數據表涵蓋了2零件號:
VS-40MT120UHTAPBF, VS-40MT120UHAPBF
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 80A 功率-最大 463W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 4.91V @ 15V, 80A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 8.28nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 12-MTP Module 供應商設備包裝 MTP |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 80A 功率-最大 463W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 4.91V @ 15V, 80A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 8.28nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 12-MTP Module 供應商設備包裝 MTP |
