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VS-40MT120UHAPBF

VS-40MT120UHAPBF

僅供參考

型號 VS-40MT120UHAPBF
PNEDA編號 VS-40MT120UHAPBF
描述 IGBT 1200V 80A 463W MTP
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 7,920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-40MT120UHAPBF資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-40MT120UHAPBF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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VS-40MT120UHAPBF規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型NPT
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
功率-最大463W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic4.91V @ 15V, 80A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce8.28nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱12-MTP Module
供應商設備包裝MTP

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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