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JANTX1N5417

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/411
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 3A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 9A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: B, Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5620US

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 800V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SQ-MELF, A
• 供應商設備包裝: D-5A
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 200°C

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VS-87HF20

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 85A DO203AB

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 85A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 267A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-203AB (DO-5)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 180°C

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JANTX1N6638U

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 125V 300MA B-MELF

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/578
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 125V
• 電流-平均整流（Io）: 300mA (DC)
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 200mA
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 4.5ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 500nA @ 125V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SQ-MELF, B
• 供應商設備包裝: D-5B
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N1183A

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 50V
• 電流-平均整流（Io）: 40A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 40A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-203AB
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 200°C

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VS-72HF40

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 70A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.35V @ 220A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-203AB (DO-5)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 180°C

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1N2133A

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 300V 60A DO5

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 300V
• 電流-平均整流（Io）: 60A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 60A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-5
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 200°C

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1N1187

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 300V 35A DO5

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 300V
• 電流-平均整流（Io）: 35A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 35A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-5
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 190°C

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1N1186R

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP REV 200V 35A DO5

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard, Reverse Polarity
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 35A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 35A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-5
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 190°C

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1N1186

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 200V 35A DO5

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 35A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 35A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-5
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 190°C

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1N3768

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1000V
• 電流-平均整流（Io）: 35A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 35A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-5
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 190°C

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1N1188

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 35A DO5

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 35A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 35A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-5
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 190°C

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1N1190

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 35A DO5

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 35A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 35A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-5
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 190°C

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1N5553

Semtech

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

• 制造商: Semtech Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 5A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 3A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 800V
• 電容@ Vr，F: 92pF @ 5V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: Axial
• 供應商設備包裝: Axial
• 工作溫度-結點: -

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JAN1N5811

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/477
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 150V
• 電流-平均整流（Io）: 6A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 875mV @ 4A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 30ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 5µA @ 150V
• 電容@ Vr，F: 60pF @ 10V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: B, Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N5819-1

Microsemi

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 45V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 340mV @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 50µA @ 45V
• 電容@ Vr，F: 70pF @ 5V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: DO-204AL, DO-41, Axial
• 供應商設備包裝: DO-204AL (DO-41)
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 125°C

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JANTX1N5551

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 5A AXIAL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/420
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 5A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.2V @ 9A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 2µs
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: B, Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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JAN1N5806

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/477
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 150V
• 電流-平均整流（Io）: 2.5A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 975mV @ 2.5A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 25ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 150V
• 電容@ Vr，F: 25pF @ 10V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: A, Axial
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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1N3208

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP 50V 15A DO5

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 50V
• 電流-平均整流（Io）: 15A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.5V @ 15A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-5
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 175°C

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JANTX1N3612

Semtech

整流器-單

D MET 1A STD 400V HR

• 制造商: Semtech Corporation
• 系列: *
• 二極管類型: -
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -

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FFSP20120A

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Silicon Carbide Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 20A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.75V @ 20A
• 速度: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 0ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 200µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 1220pF @ 1V, 100KHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-2
• 供應商設備包裝: TO-220-2L
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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APT100DL60BG

Microsemi

整流器-單

DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 600V
• 電流-平均整流（Io）: 100A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.6V @ 100A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 175°C

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FFSB20120A

ON Semiconductor

整流器-單

DIODE SBD 10A 120V D2PAK-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 二極管類型: -
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: -
• 電流-平均整流（Io）: -
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: -
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: -
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -
• 工作溫度-結點: -

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1N5418

Semtech

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL

• 制造商: Semtech Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 4.5A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 3A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 165pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: Axial
• 供應商設備包裝: Axial
• 工作溫度-結點: -

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VS-40HF120

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO203AB

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1200V
• 電流-平均整流（Io）: 40A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 125A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 9mA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-203AB
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 190°C

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DH60-14A

IXYS

整流器-單

DIODE GEN PURP 1.4KV 60A TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 1400V
• 電流-平均整流（Io）: 60A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 2.04V @ 60A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: 230ns
• 當前-反向泄漏@ Vr: 200µA @ 1200V
• 電容@ Vr，F: 32pF @ 1200V, 1MHz
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247AD
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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VS-60EPS08-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 60A TO247AC

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 60A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.09V @ 60A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 800V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-2
• 供應商設備包裝: TO-247AC Modified
• 工作溫度-結點: -40°C ~ 150°C

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1N1186AR

GeneSiC Semiconductor

整流器-單

DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5

• 制造商: GeneSiC Semiconductor
• 系列: -
• 二極管類型: Standard, Reverse Polarity
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 200V
• 電流-平均整流（Io）: 40A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.1V @ 40A
• 速度: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 50V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-5
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 190°C

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CDLL5817

Microsemi

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 20V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 600mV @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 100µA @ 20V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-213AB, MELF
• 供應商設備包裝: DO-213AB
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 125°C

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VS-40HF80

Vishay Semiconductor Diodes Division

整流器-單

DIODE GEN PURP 800V 40A DO203AB

• 制造商: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 800V
• 電流-平均整流（Io）: 40A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1.3V @ 125A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 9mA @ 800V
• 電容@ Vr，F: -
• 安裝類型: Chassis, Stud Mount
• 包裝/箱: DO-203AB, DO-5, Stud
• 供應商設備包裝: DO-203AB
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 190°C

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