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PMEG6010EP,115

Nexperia

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD128

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 60V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 530mV @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 60µA @ 60V
• 電容@ Vr，F: 120pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOD-128
• 供應商設備包裝: CFP5
• 工作溫度-結點: 150°C (Max)

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PMEG2010ER,115

Nexperia

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 20V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 340mV @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 1mA @ 20V
• 電容@ Vr，F: 175pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOD-123W
• 供應商設備包裝: CFP3
• 工作溫度-結點: 150°C (Max)

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PMEG4010ER,115

Nexperia

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123W

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 40V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 490mV @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 50µA @ 40V
• 電容@ Vr，F: 130pF @ 1V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOD-123W
• 供應商設備包裝: CFP3
• 工作溫度-結點: 150°C (Max)

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BAS3010A03WE6327HTSA1

Infineon Technologies

整流器-單

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 二極管類型: Schottky
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 30V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 470mV @ 1A
• 速度: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 200µA @ 30V
• 電容@ Vr，F: 35pF @ 5V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-76, SOD-323
• 供應商設備包裝: PG-SOD323-2
• 工作溫度-結點: -65°C ~ 125°C

請求報價

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GS1G-LTP

Micro Commercial Co

整流器-單

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

• 制造商: Micro Commercial Co
• 系列: -
• 二極管類型: Standard
• 電壓-直流反向（Vr）（最大值）: 400V
• 電流-平均整流（Io）: 1A
• 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果: 1V @ 1A
• 速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 反向恢復時間（trr）: -
• 當前-反向泄漏@ Vr: 10µA @ 400V
• 電容@ Vr，F: 15pF @ 4V, 1MHz
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: DO-214AC, SMA
• 供應商設備包裝: DO-214AC (SMA)
• 工作溫度-結點: -55°C ~ 150°C

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RJH65T14DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.75V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.3mJ (on), 1.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 80nC
• 25°C時的Td（開/關）: 38ns/125ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 250ns
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247A

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IRGP4760D-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V TO-247

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 144A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 48A
• 功率-最大: 325W
• 開關能量: 1.7mJ (on), 1mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 145nC
• 25°C時的Td（開/關）: 70ns/140ns
• 測試條件: 400V, 48A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 170ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD

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IRG8P40N120KDPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 305W
• 開關能量: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 240nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/245ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 80ns
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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IRGP4690DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 140A 454W TO247AC

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 225A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 454W
• 開關能量: 2.47mJ (on), 2.16mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 150nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/200ns
• 測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 155ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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NGTB60N60SWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 120A 298W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 298W
• 開關能量: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 173nC
• 25°C時的Td（開/關）: 87ns/180ns
• 測試條件: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 76ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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STGWA40M120DF3

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 80A 468W TO-247-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 468W
• 開關能量: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 125nC
• 25°C時的Td（開/關）: 35ns/140ns
• 測試條件: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 355ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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IRGP6630DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 47A 192W TO247AC

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 47A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 54A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 18A
• 功率-最大: 192W
• 開關能量: 75µJ (on), 350µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/95ns
• 測試條件: 400V, 18A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 70ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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IRGPS66160DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 160A TO247

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 240A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 360A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 750W
• 開關能量: 4.47mJ (on), 3.43mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 220nC
• 25°C時的Td（開/關）: 80ns/190ns
• 測試條件: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 95ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-274AA
• 供應商設備包裝: SUPER-247™ (TO-274AA)

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NGTB25N120FLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 25A TO247-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 192W
• 開關能量: 1.5mJ (on), 950µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 220nC
• 25°C時的Td（開/關）: 91ns/228ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 240ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB40N60FLWG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 257W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 257W
• 開關能量: 890µJ (on), 440µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 171nC
• 25°C時的Td（開/關）: 85ns/174ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 77ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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RJH1CF5RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 192.3W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 192.3W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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IRGP4266PBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 140A 450W TO247AC

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 140A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 450W
• 開關能量: 3.2mJ (on), 1.7mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: 80ns/200ns
• 測試條件: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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IRG7PH37K10D-EPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 45A 216W TO247AD

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 216W
• 開關能量: 1mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 135nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/240ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 120ns
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD

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AUIRGPS4067D1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 240A 750W TO-274

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 240A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 360A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.05V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 750W
• 開關能量: 8.2mJ (on), 2.9mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 360nC
• 25°C時的Td（開/關）: 69ns/198ns
• 測試條件: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 360ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: SUPER-247™ (TO-274AA)

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IRGPS4067DPBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 240A 750W SUPER-247

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 240A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 360A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.05V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 750W
• 開關能量: 5.75mJ (on), 3.43mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 240nC
• 25°C時的Td（開/關）: 80ns/190ns
• 測試條件: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 130ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-274AA
• 供應商設備包裝: SUPER-247™ (TO-274AA)

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APT44GA60B

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 78A 337W TO-247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 130A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 26A
• 功率-最大: 337W
• 開關能量: 409µJ (on), 258µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 128nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/84ns
• 測試條件: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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APT102GA60B2

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 183A 780W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 8™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 183A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 307A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 62A
• 功率-最大: 780W
• 開關能量: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 294nC
• 25°C時的Td（開/關）: 28ns/212ns
• 測試條件: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

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RJH60D3DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 35A 30W TO220FL

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 35A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 17A
• 功率-最大: 40W
• 開關能量: 200µJ (on), 210µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 37nC
• 25°C時的Td（開/關）: 35ns/80ns
• 測試條件: 300V, 17A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 100ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220FL

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RJH1BF7RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 1100V 60A 250W TO247

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1100V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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AUIRGP50B60PD1E

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 75A 390W TO247AD

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.85V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 390W
• 開關能量: 255µJ (on), 375µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 205nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/130ns
• 測試條件: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 42ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD

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AUIRGP50B60PD1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 75A 390W TO247AC

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.85V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 390W
• 開關能量: 255µJ (on), 375µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 205nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/130ns
• 測試條件: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 42ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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IRGR3B60KD2TRLP

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 7.8A 52W DPAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7.8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 15.6A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 52W
• 開關能量: 62µJ (on), 39µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/110ns
• 測試條件: 400V, 3A, 100Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 77ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: D-Pak

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IRG7PH42UD1PBF

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 85A 313W TO247AC

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 85A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 313W
• 開關能量: 1.21mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 180nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/270ns
• 測試條件: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AC

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SKW20N60FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 179W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 179W
• 開關能量: 440µJ (on), 330µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 36ns/225ns
• 測試條件: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 300ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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IHW15T120FKSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 113W TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: TrenchStop®
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 113W
• 開關能量: 2.7mJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 85nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/520ns
• 測試條件: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 140ns
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PG-TO247-3

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