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IXGH24N120C3

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 48A 250W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: GenX3™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.2V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 79nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/93ns
• 測試條件: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXGH)

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IXGH100N30C3

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 75A 460W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: GenX3™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 500A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 100A
• 功率-最大: 460W
• 開關能量: 230µJ (on), 520µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 162nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/105ns
• 測試條件: 200V, 50A, 2Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXGH)

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IXA45IF1200HB

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 78A 325W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 35A
• 功率-最大: 325W
• 開關能量: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 106nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 35A, 27Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 350ns
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (HB)

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FGH75T65SQDT-F155

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 75A FS4 TRENCH IGBT

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 375W
• 開關能量: 300µJ (on), 70µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 128nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/120ns
• 測試條件: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 76ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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IXGA24N120C3

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 48A 250W TO263

• 制造商: IXYS
• 系列: GenX3™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 48A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.2V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 79nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/93ns
• 測試條件: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263 (IXGA)

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IXXH30N60C3D1

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 270W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: GenX3™, XPT™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 110A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 270W
• 開關能量: 500µJ (on), 270µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 37nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/77ns
• 測試條件: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 25ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 (IXXH)

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STGW80H65FB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 120A 469W TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 80A
• 功率-最大: 469W
• 開關能量: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 414nC
• 25°C時的Td（開/關）: 84ns/280ns
• 測試條件: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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STGW15M120DF3

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 259W

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 259W
• 開關能量: 550µJ (on), 850µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 226nC
• 25°C時的Td（開/關）: 26ns/122ns
• 測試條件: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 270ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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RJH60F0DPK-00#T0

Renesas Electronics America

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.82V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 201.6W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 46ns/70ns
• 測試條件: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 140ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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AOK60B65M3

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 60A TO247

• 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 系列: Alpha IGBT™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.45V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: 2.6mJ (on), 1.3mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 106nC
• 25°C時的Td（開/關）: 44ns/166ns
• 測試條件: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 346ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 417W
• 開關能量: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 220nC
• 25°C時的Td（開/關）: 100ns/237ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 94ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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AOK60B65H1

Alpha & Omega Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 60A TO-247

• 制造商: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
• 系列: Alpha IGBT™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: 2.42mJ (on), 1.17mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 90nC
• 25°C時的Td（開/關）: 39ns/153ns
• 測試條件: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 288ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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IXGP30N60C3

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 220W TO220AB

• 制造商: IXYS
• 系列: GenX3™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 220W
• 開關能量: 270µJ (on), 90µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 38nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/42ns
• 測試條件: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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NGTB50N60L2WG

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 50A TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: 800µJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 310nC
• 25°C時的Td（開/關）: 110ns/270ns
• 測試條件: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 67ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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SGP23N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 23A 100W TO220

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 23A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 92A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: 115µJ (on), 135µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/60ns
• 測試條件: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220-3

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SGD02N120BUMA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6.2A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 9.6A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.6V @ 15V, 2A
• 功率-最大: 62W
• 開關能量: 220µJ
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 11nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/260ns
• 測試條件: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: PG-TO252-3

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AUIRGPS4070D0

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 700V SUPER PG-TO274-3-903

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 240A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 360A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 750W
• 開關能量: 5.7mJ (on), 4.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 250nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/140ns
• 測試條件: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 210ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-274AA
• 供應商設備包裝: PG-TO274-3-903

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STGW25H120F2

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 375W
• 開關能量: 600µJ (on), 700µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: 29ns/130ns
• 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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STGW60H60DLFB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 375W TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 240A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 375W
• 開關能量: 626µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 306nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/160ns
• 測試條件: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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IXBH40N160

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 33A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 7.1V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 350W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 130nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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APT35GP120BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 96A 543W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 96A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 140A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 35A
• 功率-最大: 543W
• 開關能量: 750µJ (on), 680µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 150nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16ns/94ns
• 測試條件: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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IXGH40N120C3

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 75A 380W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: GenX3™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 4.4V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 380W
• 開關能量: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 142nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17ns/130ns
• 測試條件: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXGH)

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IXGF25N250

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 5.2V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 114W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 75nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: i4-Pac™-5 (3 Leads)
• 供應商設備包裝: ISOPLUS i4-PAC™

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APT100GN120B2G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 245A 960W TMAX

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 245A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 100A
• 功率-最大: 960W
• 開關能量: 11mJ (on), 9.5mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 540nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/615ns
• 測試條件: 800V, 100A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: -

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APT45GP120BG

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 100A 625W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 170A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 45A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: 900µJ (on), 904µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 185nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/102ns
• 測試條件: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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IXGH50N90B2D1

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 900V 75A 400W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: HiPerFAST™
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 900V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 400W
• 開關能量: 4.7mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 135nC
• 25°C時的Td（開/關）: 20ns/350ns
• 測試條件: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 200ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXGH)

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HGTG12N60C3D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 24A 104W TO247

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 96A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 104W
• 開關能量: 380µJ (on), 900µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 48nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 42ns
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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APT25GP120BDQ1G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 69A 417W TO247

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: POWER MOS 7®
• IGBT類型: PT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 69A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.9V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 417W
• 開關能量: 500µJ (on), 440µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/70ns
• 測試條件: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247 [B]

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IXBH20N360HV

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3600V 70A TO-247HV

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 430W
• 開關能量: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/238ns
• 測試條件: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.7µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: TO-247HV

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APT75GN60LDQ3G

Microsemi

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 155A 536W TO264

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 155A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 225A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 536W
• 開關能量: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 485nC
• 25°C時的Td（開/關）: 47ns/385ns
• 測試條件: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264 [L]

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