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SG2023J-883B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 95V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 16-CDIP

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SG2013J-883B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 900 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 16-CDIP

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STD845DN40

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 1A, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-DIP

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MD2219A

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 30V 0.5A TO-78

• 制造商: Central Semiconductor Corp
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTX2N4854

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 40V 0.6A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/421
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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MAT12AHZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.02A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500pA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTXV2N6678

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-單

DIODE

• 制造商: M/A-Com Technology Solutions
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/538
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 3A, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 1A, 3V
• 功率-最大: 6W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JANTX2N6287

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-單

DIODE

• 制造商: M/A-Com Technology Solutions
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/505
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 200mA, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 6A, 3V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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JANTX2N3868

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-單

DIODE

• 制造商: M/A-Com Technology Solutions
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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JANTX2N3741

M/A-Com Technology Solutions

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 4A TO-66

• 制造商: M/A-Com Technology Solutions
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/441
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 1.25mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 250mA, 1V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-213AA, TO-66-2
• 供應商設備包裝: TO-66 (TO-213AA)

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JAN2N918

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 15V 0.05A TO72

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/301
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V
• 功率-最大: 200mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-72-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-72

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JANTXV2N6546

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 15A TO3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/525
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 3A, 15A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 5A, 2V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3)

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JAN2N6284

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 100V 20A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/504
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 200mA, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1250 @ 10A, 3V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JANTXV2N5667S

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 300V 5A TO39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/455
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1A, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 1.2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-39 (TO-205AD)

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JANTXV2N3749

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 80V 5A TO111

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/315
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 20µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1A, 2V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Stud Mount
• 包裝/箱: TO-111-4, Stud
• 供應商設備包裝: TO-111

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JAN2N6437

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 100V 25A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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JAN2N6353

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/472
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 10mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-213AA, TO-66-3
• 供應商設備包裝: TO-66 (TO-213AA)

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JANTX2N6351

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/472
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2.5V @ 10mA, 5A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-33

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JAN2N6277

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 150V 50A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/514
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 150V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 10A, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 50µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 20A, 4V
• 功率-最大: 250W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JANTX2N5745

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 80V 20A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/433
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 10A, 2V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JANTX2N5685

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 50A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/464
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 10A, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 25A, 2V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JAN2N5685

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 50A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/464
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 10A, 50A
• 當前-集電極截止（最大值）: 500µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 25A, 2V
• 功率-最大: 300W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JANTXV2N5672

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 120V 30A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/488
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 6A, 30A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 15A, 2V
• 功率-最大: 6W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3 (TO-204AA)

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JANS2N5416U4

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 300V 1A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/485
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 50mA, 10V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 3-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: U4

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JANS2N5415UA

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 200V 1A TO-5

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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JAN2N3764

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP 40V 1.5A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/396
• 晶體管類型: PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 900mV @ 100mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 1A, 1.5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-46 (TO-206AB)

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JAN2N1711

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 30V 0.5A TO-39

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/225
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 800mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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JAN2N1479

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 60V 1.5A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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JANTXV2N5662

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 200V 2A TO-5

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/454
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 400mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-5

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JANTX2N6650

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/527
• 晶體管類型: PNP - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 3V @ 100µA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 5A, 3V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-204AA (TO-3)

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