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JAN2N1479

JAN2N1479

僅供參考

型號 JAN2N1479
PNEDA編號 JAN2N1479
描述 TRANS NPN 60V 1.5A
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $1,999.1601
50 ---------- $1,905.4494
100 ---------- $1,811.7388
200 ---------- $1,718.0282
400 ---------- $1,639.9360
500 ---------- $1,561.8438
庫存 4,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JAN2N1479資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JAN2N1479
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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JAN2N1479規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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800V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 160mA, 800mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

6 @ 800mA, 5V

功率-最大

3W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 10V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

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