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1HN04CH-TL-W

1HN04CH-TL-W

僅供參考

型號 1HN04CH-TL-W
PNEDA編號 1HN04CH-TL-W
描述 MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1HN04CH-TL-W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1HN04CH-TL-W
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
1HN04CH-TL-W, 1HN04CH-TL-W數據表 (總頁數: 5, 大小: 236.92 KB)
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1HN04CH-TL-W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)270mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 140mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝3-CPH
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 10A

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1403pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

170W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

3000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

89A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4670pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

112nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6390pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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