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1HN04CH-TL-W

1HN04CH-TL-W

僅供參考

型號 1HN04CH-TL-W
PNEDA編號 1HN04CH-TL-W
描述 MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1HN04CH-TL-W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1HN04CH-TL-W
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
1HN04CH-TL-W, 1HN04CH-TL-W數據表 (總頁數: 5, 大小: 236.92 KB)
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1HN04CH-TL-W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)270mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 140mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.9nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝3-CPH
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

112nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6390pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2475pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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Automotive, AEC-Q101

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta), 49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

625pF @ 25V

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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