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1N3673AR

1N3673AR

僅供參考

型號 1N3673AR
PNEDA編號 1N3673AR
描述 DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N3673AR資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N3673AR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N3673AR, 1N3673AR數據表 (總頁數: 3, 大小: 767.79 KB)
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1N3673AR規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard, Reverse Polarity
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)12A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 12A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-65°C ~ 200°C

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800V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

R6, Axial

供應商設備包裝

R-6

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.73V @ 70A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

110ns

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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供應商設備包裝

D-55

工作溫度-結點

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二極管類型

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150V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

970A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

970mV @ 750A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20mA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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包裝/箱

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