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1N4448TAP

1N4448TAP

僅供參考

型號 1N4448TAP
PNEDA編號 1N4448TAP
描述 DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 93,324
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4448TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4448TAP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N4448TAP, 1N4448TAP數據表 (總頁數: 4, 大小: 80.55 KB)
PDF1N4448TAP數據表 封面
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1N4448TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)75V
電流-平均整流(Io)150mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果720mV @ 5mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)8ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 75V
電容@ Vr,F4pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35
工作溫度-結點175°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

TO-220-2

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 10V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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75V

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300mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 75V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

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