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FDS4935BZ

FDS4935BZ FDS4935BZ

僅供參考

型號 FDS4935BZ
PNEDA編號 FDS4935BZ
描述 MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 354,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDS4935BZ資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDS4935BZ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDS4935BZ, FDS4935BZ數據表 (總頁數: 5, 大小: 191.23 KB)
PDFFDS4935BZ數據表 封面
FDS4935BZ數據表 頁面 2 FDS4935BZ數據表 頁面 3 FDS4935BZ數據表 頁面 4 FDS4935BZ數據表 頁面 5

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FDS4935BZ規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.9A
Rds On(Max)@ Id,Vgs22mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1360pF @ 15V
功率-最大900mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

46A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

633pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Nexperia

制造商

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.44nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13pF @ 10V

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