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1N483BUR

1N483BUR

僅供參考

型號 1N483BUR
PNEDA編號 1N483BUR
描述 DIODE GEN PURP 225V 50MA DO213AA
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,776
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N483BUR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N483BUR
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N483BUR規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)225V
電流-平均整流(Io)50mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr25nA @ 225V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AA
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3.2V @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

36ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 40V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

32pF @ 10V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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