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US6K1TR

US6K1TR US6K1TR

僅供參考

型號 US6K1TR
PNEDA編號 US6K1TR
描述 MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,178
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6K1TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6K1TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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US6K1TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds80pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

103mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

功率-最大

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.31nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 20V

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

49mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 5V

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