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1N4934G R1G

1N4934G R1G

僅供參考

型號 1N4934G R1G
PNEDA編號 1N4934G-R1G
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4934G R1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4934G R1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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1N4934G R1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F10pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

890mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 150V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

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工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

65pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

810mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

600µA @ 80V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

12µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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電流-平均整流(Io)

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950mV @ 40V

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

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