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1N4935G-T

1N4935G-T

僅供參考

型號 1N4935G-T
PNEDA編號 1N4935G-T
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N4935G-T資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N4935G-T
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N4935G-T, 1N4935G-T數據表 (總頁數: 3, 大小: 80 KB)
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1N4935G-T規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)200ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 45V

電容@ Vr,F

400pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

460mV @ 10mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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