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1N5820G

1N5820G

僅供參考

型號 1N5820G
PNEDA編號 1N5820G
描述 DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,314
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N5820G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N5820G
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N5820G, 1N5820G數據表 (總頁數: 9, 大小: 183.9 KB)
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1N5820G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)20V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果475mV @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr2mA @ 20V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AA, DO-27, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 125°C

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電流-平均整流(Io)

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950mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

8pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

工作溫度-結點

-

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

R6, Axial

供應商設備包裝

R-6

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

710mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

工作溫度-結點

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